1. Классификация носителей заряда в полупроводниках: подвижные – неподвижные, положительные – отрицательные, основные – неосновные – собственные. Обозначение концентрации каждого вида носителей. 2. Объяснить существование свободного положительного заряда в полупроводниках и раскрыть механизм его передвижения на плоскостной модели кристаллической решетки. 3. Объяснить преобладание дырочной проводимости в примесных полупроводниках p‑типа с применением плоскостной модели кристаллической решетки и энергетической диаграммы полупроводника. Обозначения концентраций: примесей, основных и неосновных носителей, собственных носителей. Соотношения этих концентраций. 4. Анализ равновесного состояния p‑n‑перехода: распределение равновесных концентраций носителей заряда в структуре перехода, потенциальная диаграмма, потенциальный барьер, ширина обеднённой зоны, сравнительная электропроводность области объёмного заряда и нейтральных областей.
Другие вопросы по: Химия
Знаешь правильный ответ?
1. Классификация носителей заряда в полупроводниках: подвижные – неподвижные, положительные – отрица...
Популярные вопросы