Поверхностная плотность зарядов на обкладках плоского воздушного конденсатора σ=2 мкКл/м2 , площадь обкладки S=100 см2 , емкость конденсатора C=10 мкФ. Найти изменение скорости электрона Δv, движущегося по силовой линии поля конденсатора к положительной обкладке, за время t=0,01 мкс. Расстояние между обкладками d=1 мм.

уравнение состояния идеального газа:

pv = (m/m)rt.

после хранения:

0,8pv = (m1/m)r0,8t.

отсюда m =m1(так как m = const по условию).

изохорический процесс ( масса не меняется, как и объем)

ответ: количество газа в не изменилось.

введем обозначения: е0 - электрическая постоянная

е - диэлектрическая проницаемость жидкости,

p1 - плотность шарика,

p2 - плотность жидкости   (p2< p1),

fк - сила кулона: fк = q^2/(4пee0*r^2) = q^2 / (8пee0*l^2).

fa - сила архимеда: fa = p2*g*v = mgp2/p1

уравнения ньютона для равновесия одного шарика в проекциях на оси х и у:

х:   fк = t/кор2         t - натяжение нити.

у:   fa + t/кор2 = mg     отсюда получим:

fк = mg - fa     или:

q^2 / (8пee0*l^2) = mg(1 -(p2/p1))

отсюда находим заряд шарика:

q = 2l*кор[2пee0*mg(1-(p2/p1))]

если рычаг находится в равновесии, то сумма моментов сил равна 0:

300*0,05 = 20* х  ( где х - искомое большое плечо)

х = 15/20 = 0,75 м = 75 см.

ответ: 75 см

f=iblsina

как видим из формулы, сила ампера и индукция , а также сила ампера и ток прямо пропорциональны. это означает, что при увеличении (или уменьшении) одной величины. другая увеличится (или уменьшится во столько же раз)

поэтому если индукция увелич в 4 раза, то сила ампера тоже увелич в 4 раза, но если ток уменьш в 2 раза. то и сила ампера уменьш. в 2 раза

поэтому в результате сила ампера увеличится только в 2 раза