Почему при неизменных внешних условиях количество свободных носителей электронных зарядов в полупроводнике остаётся постоянным Хотя образование пары электронных дырок происходит непрерывно

Потому что происходит и рекомбинация

работа, совершаемая газом при расширении или сжатии газа, равна a=p(v2-v1).

a=200000па*(2,6-1,6)*10^(-3)=200 дж

e=e1+e2(в векторном виде)

e1=kq1/(r1)2=

=9*10(9)нм2/кл2*6.7*10(-9)кл/0.04м*0.04м=60.3/16*10(-4)=3.77*10(4)н/кл

e2=kq2/(r2)2=

=9*10(9)hм2/кл2*13.3*10(-9)кл/0.03м*0.03м=119.7/9*10(-4)=13.3*10(4)н/кл

делаем рисунок заряды находятся в вершинах прямоуг треугольника,  5см гипотенуза, 4см и 3 см катеты. изображаем е1, е2 и е

е-гипотенуза, находим из теоремы пифагора

е=корень(е1(2)+е2(2))=корень(3.77*3.77*10(8)+13.3*13.3*10(8))=

=14.21*10(8)+176.89*10(8)=корень(191.1*10(8))в/м=13.8*10(4)в/м=138кв/м