Вкристал силіцію додали деяку кількість атомів фосфору. що є основними носіями зарядів у такому напівпровіднику?

давление газа создается ударами молекул о стенки сосуда. если поверхность будет поглощать молекулы, то в сосуде их число будет с течением времени уменьшаться, поэтому они реже будут ударяться о стенку, значит давление с течением времени будет уменьшаться

f=rgv

r=f/gv= 50н/9.8н/кг*0.005м3=1000кг/м3  вода

s = a * t² / 2 ,  поэтому  a = 2 * s / t² = 2 * 400 / 64 = 12,5 м/с²

длина тормозного пути определяется по формуле  s = v² / (2 * a).

в данном случае  a = -v² (2 * s) = - 400² / (2 * 0,2) = -400000 м/c².

поскольку путь пропорционален квадрату скорости, то начиная со скорости вдвое меньшей пуля прошла расстояние вчетверо меньшее, то есть

20 / 4 = 5 см.  следовательно, скорость пули уменьшилась вдвое на глубине

20 - 5 = 15 см.