При нагревании чистого полупроводника от температуры t1 = 27◦C до некоторой температуры T2 его сопротивление уменьшилось в два раза. Найдите эту температуру, если ширина запрещенной зоны данного полупроводника равна ∆E = 1, 4 эВ.

1е-от температуры вещества. чем выше температура, тем боьше скорость малекул, и тем вероятнее что они вылятят из общей массы(испоряться)

2е-от рода вещества. чем больше молекулы, тем больше сила притяжения между ними, и им нужно больше энергии что бы испориться

3е-от внешней среды. энергия передаваемая или забераемая средой напрямую зависит, потому что от этого зависит температура вещества.

4е-от  площади испарения. чем больше площадь тем больше малекул за еденицу времени могут вылетить из вещества.

40 градуссов цельсия, т.к. угол падения = угол отражения.

µ=епол/еполн=a/a+q

µ=9,8·10⁴/(9,8·10⁴+4,19·10⁴)=9,8·10⁴/13,89·10⁴≈0,71≈71%

выберем направление для ускорения - вверх для висящего тела и соответственно вниз по накл. плоскости для другого тела.

тогда для висящего на блоке тела:

t - m1g = m1a                                                        (1)

для тела, скользящего по наклонной плоскости, в проекциях на оси х и у:

(ось х - по направлению предполагаемого движения, осьу - нормаль к пов-ти накл. пл-ти)

х:   m2g*sina - kn - t = m2a

y:   n - m2g*cosa = 0,    где k - коэфф. трения, n - сила реакции опоры.

подставив из второго значение для n в первое, получим:

t =  m2g(sina - kcosa) - m2a                                 (2)

вычтем из  (2)  (1):

m1g = m2g(sina - kcosa) - (m1+m2)a

отсюда находим ускорение :

a = (g*(m2(sina-kcosa)-m1)) / (m1+m2)

подстановка числовых значений приводит к отрицательному значению.

поменяв направление движения на противоположное, получим выражение для ускорения:

делаем вывод, что сила трения покоя не позволяет данной системе тел начать движение. система покоится. а = 0.

тогда натяжение нити просто равно:

t = m1g = 2 н

ответ: а = 0;   т = 2 н.