Удельное сопротивление полупроводника при температуре 500 К 4·10^4 (Ом·м), а при температуре 700°К - 8·10^3 (Ом·м). Определите плотность тока при этих температурах, если напряженность внешнего поля 200 В/м. Определите ширину запрещенной зоны.

e=дельтаф/дельтаt

тогда промежуток времени

дельтаt=дельтаф/e=0,02-0.01/3.8=2.63с

n=a/t

t=a/n=12*10(6)дж/20*10(3)вт=600с=10минут

q=cm(t₂-t₁) -количество теплоты при нагревании

c=4183 дж/(кг*к)

t₁=20 °c =293 °k

t₂=100 °c =373 °k

m=1.5 л=1,5 кг

q=4183*1.5(373-293)=501960 дж необходимо теплоты на нагрев с 20 до 100 град.

p=q/δt -затраченная мощность (р полезное)

кпд=р полезное/р полное -относительные единицы, *100 получаем в процентах

р полезное=0,6*600=360 вт

t=q/p=501960/360=1394.3 c =23 мин