Рассказать о полупроводниках и полупроводниковых приборах​

f тяжести=mg=0,27кг*9.8н/кг=2.7 н

fарх=rgv=1000кг/м3*9.8н/кг*30*10(-6)м3=0.3н

f=fтяж-fарх=2.7н-0.3н=2.4н

по закону кулона:

f = k*qквад/rквад. где k = 1/4пе0 = 9*10 в 9 степ. отсюда q = r* корень из (f/k) = 0,09* кор из (0,001/(9*10 в 9степ)) = 3*10 в (-8) степ   кл

p = 2ne/3, где n - концентрация гелия (неизменная по условию, е - кинетич. энергия теплового движения.

из формулы видим, что между давлением и кинет. энергией - прямая пропорциональная зависимость.

если е уменьшилась в 3 раза, то:

р уменьшится в 3 раза

напряженность поля точечного заряда q на расстоянии r в среде с диэлектрической проницаемостью е равна:

отсюда находим е:

e

ответ: 2.