Найбільш розповсюдженою технологією формування p-n переходів в кристалічних пластинах кремнію є:
А – іонна імплантація; Б – епітаксія; В – трансмутаційне легування; Г – вакуум-термічне напилення; Д – термічна дифузія.
Очень надо. 20 балов

имеем систему для х и у - сопротивлений:

х+у=50    - при последов. соединении.

ху/(х+у) = 12    - при параллельном соединении

х(50-х) = 12*50

x^2 - 50x + 600 = 0

корни: 20 и 30  тогда у соответственно: 30 и 20.

ответ: 20 ом;   30 ом.

длина окружности  . умножаем ее на количество кругов - ролучаем путь. теперь представим на сколько он переместился - 6.5 раз водим карандашем по кругу и попадаем в точку, находящуюся на расстоянии  , осталось только поставить вместо r - 50и, а вместо пи- 3.14 и посчитать)

72 км/ч= 72·1000м/3600с = 20м/с

по закону сохранения импульса:

mv0*cosa = mv  (в проекциях на горизонтальную ось).

скорость скейтборда направлена навстречу движению лягушки и равна:

(a - угол прыжка лягушки к горизонту).

дальность полета лягушки вычислим из уравнений кинематики для тела, брошенного под углом к горизонту:   (t(полета) = 2(tподъема)=2t)

учтем, что за время полета лягушки скейт приблизится к ней на расстояние 2vt, то есть:

s = l - 2vt.

в результате получим:

чтобы скорость была минимальной, sin2a должен равняться 1. то есть лягушка должна прыгнуть под углом 45 гр. теперь выражаем скорость:

ответ: 1,4 м/с, под углом в 45 град.